Diodes Incorporated
DMWSH120H28SM4Q 단일 FET, MOSFET
DMWSH120H28SM4Q
278-DMWSH120H28SM4Q
Diodes Incorporated-DMWSH120H28SM4Q-datasheets-1656045.pdf
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
재고 : 59
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기술 사양
FET 유형
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
REACH 상태
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
ECCN
등급
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
자격
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
DMWSH120H28SM4Q 서류
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