Vishay / Siliconix
SIJ470DP-T1-GE3 단일 FET, MOSFET
SIJ470DP-T1-GE3
278-SIJ470DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix-SIJ470DP-T1-GE3-datasheets-7655976.pdf
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
재고 : 1025
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기술 사양
FET 유형
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
제품상태
공급자 장치 패키지
드레인-소스 전압(Vdss)
전력 소비(최대)
패키지/케이스
기술
제조업체
Vgs(최대)
RoHS 현황
수분 민감도 수준(MSL)
작동 온도
FET 기능
ECCN
장착 유형
Rds On(최대) @ Id, Vgs
Vgs(일)(최대) @ Id
시리즈
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
HTSUS
패키지
기본 제품 번호
SIJ470DP-T1-GE3 서류
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Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023 SIJ470DP SIJ470DP Mult Dev 10/Mar/2023 관련 부품
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